Method for manufacturing silicon-carbide semiconductor device

WO2014027519 Art A1 20. Februar 2014

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014027519
Aktenzeichen: EP13879666
Anmeldetag: 2. Juli 2013
Veröffentlichung: 20. Februar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/336H01L21/337H01L27/098H01L29/12H01L29/417H01L29/78H01L29/808

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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