Amorphous oxide semiconductor layer and thin film transistor containing same

WO2014027750 Art A1 20. Februar 2014

Anmelder: Korea Research Institute of Standards and Science 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014027750
Aktenzeichen: EP13879450
Anmeldetag: 4. Juli 2013
Veröffentlichung: 20. Februar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L29/12

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Korea Research Institute of Standards and Science
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea Research Institute of Standards and Science

Der Anmelder ist ein südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut für Metrologie mit Sitz in Daejeon, bekannt als KRISS. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik, ergänzt durch Halbleiterbauelemente, Software und Medizintechnik. Anmeldungen laufen seit 2002 durchgehend fort.

452 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von