Nitride Semiconductor Diode

WO2014027759 Art A1 20. Februar 2014

Anmelder: Korea Electronics Technology Institute 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014027759
Aktenzeichen: EP13879347
Anmeldetag: 16. Juli 2013
Veröffentlichung: 20. Februar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/861

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Electronics Technology Institute
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea Electronics Technology Institute

Staatlich gefördertes südkoreanisches Forschungsinstitut für Elektronik- und IT-Technologien mit Sitz in Seongnam, das Unternehmen bei Entwicklung und Kommerzialisierung neuer Technologien unterstützt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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