Reverse-conducting and heterogeneous structure field effect transistor and method of fabricating same

WO2014029223 Art A1 27. Februar 2014

Anmelder: Sun Yat-Sen University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014029223
Aktenzeichen: EP13830698
Anmeldetag: 28. Mai 2013
Veröffentlichung: 27. Februar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/417H01L29/778H01L21/285H01L21/335

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sun Yat-Sen University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Sun Yat-Sen University

Die Sun Yat-Sen University ist eine bedeutende chinesische Forschungsuniversität mit Hauptsitz in Guangzhou. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie Software und Datenverarbeitung, ergänzt um organische Chemie und Pharma. Anmeldungen sind seit 2003 dokumentiert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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