Semiconductor structure provided with aluminum-nitride-oxide film on top of germanium layer, and manufacturing method therefor

WO2014030371 Art A1 27. Februar 2014

Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014030371
Aktenzeichen: EP13831351
Anmeldetag: 11. März 2013
Veröffentlichung: 27. Februar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/316H01L29/78

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Firma: Japan Science and Technology Agency
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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