Film forming apparatus, method of forming low-permittivity film, sico film, and damascene interconnect structure

WO2014030414 Art A1 27. Februar 2014

Anmelder: Tokyo Electron Limited, Tohoku University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014030414
Aktenzeichen: EP13830529
Anmeldetag: 18. Juni 2013
Veröffentlichung: 27. Februar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/31C23C16/42C23C16/455H01L21/316H01L21/768H01L23/532

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Tokyo Electron Limited
Tohoku University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Tohoku University

Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.

837 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von