Nitride semiconductor element substrate and method for production thereof, and red light-emitting semiconductor element and method for production thereof

WO2014030516 Art A1 27. Februar 2014

Anmelder: Osaka University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014030516
Aktenzeichen: EP13831596
Anmeldetag: 1. August 2013
Veröffentlichung: 27. Februar 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/16C23C16/34H01L21/205H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Osaka University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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