Semiconductor device
WO2014030589
Art A1
27. Februar 2014
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014030589
- Aktenzeichen
- EP13830758
- Anmeldetag
- 14. August 2013
- Veröffentlichung
- 27. Februar 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/28H01L29/12H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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