Highly transparent aluminum nitride single crystalline layers and devices made therefrom

WO2014031119 Art A1 27. Februar 2014

Anmelder: National University Corporation Tokyo University of Agriculture and Technology, Tokuyama Corporation, Hexatech Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2014031119
Aktenzeichen
EP12769779
Anmeldetag
23. August 2012
Veröffentlichung
27. Februar 2014
Rechtsraum
WO
IPC
C30B25/10C30B25/14C30B29/40H01L33/32
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
National University Corporation Tokyo University of Agriculture and Technology
Tokuyama Corporation
Hexatech Inc.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Tokuyama

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Shunan, gegründet 1918. Produziert unter anderem Spezialchemikalien, Zement und Halbleitermaterialien.

725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

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