Structure and method for testing gate oxide layer interface trap density

WO2014032416 Art A1 6. März 2014

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014032416
Aktenzeichen: EP13833835
Anmeldetag: 25. Februar 2013
Veröffentlichung: 6. März 2014
Rechtsraum: WO
IPC: G01R31/26H01L23/544

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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