3c-sic single crystal and production method therefor

WO2014034080 Art A1 6. März 2014

Anmelder: National University Corporation Nagoya University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014034080
Aktenzeichen: EP13834076
Anmeldetag: 26. August 2013
Veröffentlichung: 6. März 2014
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C30B19/12H01L21/208

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National University Corporation Nagoya University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National University Corporation Nagoya University

Japanische staatliche Universität mit umfangreicher Forschung in Naturwissenschaften, Technik und Medizin, unter anderem bekannt für Arbeiten zu LED-Technologie. Trägerin zahlreicher Patente aus Universitätsforschung in Japan.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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