Gate valve and substrate processing system

WO2014034247 Art A1 6. März 2014

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014034247
Aktenzeichen: EP13833203
Anmeldetag: 28. Juni 2013
Veröffentlichung: 6. März 2014
Rechtsraum: WO
IPC: F16K3/18B65G49/00F16K3/06F16K31/524F16K51/02H01L21/677

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Maschinenelemente & Fluidtechnik Verpackungs- & Fördertechnik

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