Mask residue removal for substrate dicing by laser and plasma etch

WO2014035826 Art A1 6. März 2014

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014035826
Aktenzeichen: EP13832865
Anmeldetag: 23. August 2013
Veröffentlichung: 6. März 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/78H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von