Methods and apparatus for forming tantalum silicate layers on germanium or iii-v semiconductor devices

WO2014035933 Art A1 6. März 2014

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014035933
Aktenzeichen: EP13833940
Anmeldetag: 27. August 2013
Veröffentlichung: 6. März 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/31H01L21/8238H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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