Memory array with power-efficient read architecture

WO2014036304 Art A1 6. März 2014

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014036304
Aktenzeichen: EP13833403
Anmeldetag: 29. August 2013
Veröffentlichung: 6. März 2014
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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