Resistive random access memory and manufacturing method thereof

WO2014036837 Art A1 13. März 2014

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014036837
Aktenzeichen: EP13834855
Anmeldetag: 26. April 2013
Veröffentlichung: 13. März 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00H01L27/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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