Method for preparing finfet on germanium and iii-v semiconductor material substrate

WO2014036855 Art A1 13. März 2014

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014036855
Aktenzeichen: EP13836149
Anmeldetag: 8. Juli 2013
Veröffentlichung: 13. März 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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