Pseudo substrate with improved efficiency of usage of single crystal material

WO2014037793 Art A1 13. März 2014

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014037793
Aktenzeichen: EP13792731
Anmeldetag: 6. September 2013
Veröffentlichung: 13. März 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/18C30B33/00H01L21/02H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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