Wide-gap semiconductor device and method for manufacturing same

WO2014038281 Art A1 13. März 2014

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014038281
Aktenzeichen: EP13835097
Anmeldetag: 8. Juli 2013
Veröffentlichung: 13. März 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/47H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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