Substrate treatment device, substrate treatment method, and method of manufacturing semiconductor device

WO2014038453 Art A1 13. März 2014

Anmelder: Hitachi Kokusai Electric Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014038453
Aktenzeichen: EP13835679
Anmeldetag: 28. August 2013
Veröffentlichung: 13. März 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/31C23C16/46H01L21/205H01L21/22H01L21/324

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi Kokusai Electric Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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