Substrate processing device, semiconductor-device manufacturing method, and recording medium

WO2014038667 Art A1 13. März 2014

Anmelder: Hitachi Kokusai Electric Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014038667
Aktenzeichen: EP13835233
Anmeldetag: 6. September 2013
Veröffentlichung: 13. März 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/31H01L21/02H01L21/268H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi Kokusai Electric Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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