High-Current N-Type Silicon-On-Insulator Lateral Insulated-Gate Bipolar Transistor
WO2014040334
Art A1
20. März 2014
Anmelder: Southeast University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014040334
- Aktenzeichen
- EP12884496
- Anmeldetag
- 24. Oktober 2012
- Veröffentlichung
- 20. März 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/06H01L29/739
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Southeast University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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