Soi finfet with reduced fin width dependence

WO2014040981 Art A1 20. März 2014

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014040981
Aktenzeichen: EP13759747
Anmeldetag: 10. September 2013
Veröffentlichung: 20. März 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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