Verfahren zur Fixierung einer Matrixfreien Elektrophoretisch Abgeschiedenen Schicht auf einem Halbleiterchip für die Herstellung eines Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements und Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement

WO2014041165 Art A1 20. März 2014

Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014041165
Aktenzeichen: EP13762148
Anmeldetag: 16. September 2013
Veröffentlichung: 20. März 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L33/00H01L33/44H01L33/50H01L33/46H01L33/62

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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