Semiconductor substrate and semiconductor element

WO2014041822 Art A1 20. März 2014

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014041822
Aktenzeichen: EP13837459
Anmeldetag: 8. Januar 2013
Veröffentlichung: 20. März 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/02H01L27/12H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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