Method of fabricating gallium nitride based semiconductor device

WO2014042438 Art A1 20. März 2014

Anmelder: Seoul Viosys Co., Ltd. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014042438
Aktenzeichen: EP13836946
Anmeldetag: 11. September 2013
Veröffentlichung: 20. März 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/02H01L33/12H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Seoul Viosys Co., Ltd.
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Seoul Viosys Co., Ltd.

Seoul Viosys ist ein südkoreanischer Hersteller von LED-Chips und optoelektronischen Bauteilen, eine Tochtergesellschaft von Seoul Semiconductor, dessen Patente LED-Technologie betreffen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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