Using a carbon vacancy reduction material to increase average carrier lifetime in a silicon carbide semiconductor device

WO2014042952 Art A1 20. März 2014

Anmelder: Cree, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014042952
Aktenzeichen: EP13766754
Anmeldetag: 5. September 2013
Veröffentlichung: 20. März 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/322H01L21/265H01L29/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Cree, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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