High Electron Mobility Transistors Having Improved Reliability
WO2014043187
Art A1
20. März 2014
Anmelder: University of Florida Research Foundation, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014043187
- Aktenzeichen
- EP13838030
- Anmeldetag
- 11. September 2013
- Veröffentlichung
- 20. März 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/778H01L21/335
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- University of Florida Research Foundation, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
University of Florida Research Foundation
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