Method for producing semiconductor device, and semiconductor device

WO2014045435 Art A1 27. März 2014

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014045435
Aktenzeichen: EP12884778
Anmeldetag: 24. September 2012
Veröffentlichung: 27. März 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L25/07H01L21/60H01L21/607H01L25/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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