Silicon carbide semiconductor device having junction barrier schottky diode

WO2014045550 Art A1 27. März 2014

Anmelder: Denso Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014045550
Aktenzeichen: EP13839835
Anmeldetag: 12. September 2013
Veröffentlichung: 27. März 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/47H01L21/265H01L29/06H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Denso Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Denso

Japanischer Automobilzulieferer mit Sitz in Kariya (Präfektur Aichi). Denso entwickelt Antriebs, Klima, Sicherheits und Elektroniksysteme für Fahrzeuge sowie Komponenten für Elektromobilität, Fahrerassistenz und Halbleitertechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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