Silicon carbide semiconductor device and fabrication method for same

WO2014046073 Art A1 27. März 2014

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014046073
Aktenzeichen: EP13839942
Anmeldetag: 17. September 2013
Veröffentlichung: 27. März 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L29/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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