Temperature gauge, substrate treatment device, temperature control method, and method for manufacturing semiconductor device

WO2014046242 Art A1 27. März 2014

Anmelder: Hitachi Kokusai Electric Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014046242
Aktenzeichen: EP13839166
Anmeldetag: 20. September 2013
Veröffentlichung: 27. März 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/46

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi Kokusai Electric Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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