Block and page level bad bit line and bits screening method for non-volatile memory

WO2014046887 Art A1 27. März 2014

Anmelder: SanDisk Technologies Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014046887
Aktenzeichen: EP13766764
Anmeldetag: 6. September 2013
Veröffentlichung: 27. März 2014
Rechtsraum: WO
IPC: G11C29/02G11C29/44G11C7/10G11C11/56G11C16/10G11C16/24G11C16/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

Vertreten von