Resistive random access memory and preparation method thereof

WO2014047974 Art A1 3. April 2014

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014047974
Aktenzeichen: EP12885315
Anmeldetag: 11. Oktober 2012
Veröffentlichung: 3. April 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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