Method for planarizing surface of germanium layer, and semiconductor structure and process for producing same

WO2014050187 Art A1 3. April 2014

Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014050187
Aktenzeichen: EP13842748
Anmeldetag: 18. April 2013
Veröffentlichung: 3. April 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316H01L21/324

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Firma: Japan Science and Technology Agency
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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