Low voltage embedded memory having conductive oxide and electrode stacks

WO2014051725 Art A1 3. April 2014

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014051725
Aktenzeichen: EP13842500
Anmeldetag: 10. Juni 2013
Veröffentlichung: 3. April 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205H01L21/316

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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