Silicon single crystal growing apparatus and silicon single crystal growing method

WO2014054214 Art A1 10. April 2014

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014054214
Aktenzeichen: EP13843829
Anmeldetag: 26. August 2013
Veröffentlichung: 10. April 2014
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/06C30B15/00C30B15/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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