Nitride semiconductor device and fabrication method therefor

WO2014057906 Art A1 17. April 2014

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014057906
Aktenzeichen: EP13846206
Anmeldetag: 7. Oktober 2013
Veröffentlichung: 17. April 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/338H01L21/28H01L21/283H01L21/3065H01L21/316H01L21/336H01L29/423H01L29/49H01L29/778H01L29/78H01L29/786H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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