Inductively coupled plasma ion source chamber with dopant material shield

WO2014058642 Art A1 17. April 2014

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014058642
Aktenzeichen: EP13776662
Anmeldetag: 30. September 2013
Veröffentlichung: 17. April 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01J37/32H01J27/02H01J27/16H01J27/26H01J49/10H01J37/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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