Semiconductor Structure Having A Rare-Earth Oxide
WO2014059732
Art A1
24. April 2014
Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014059732
- Aktenzeichen
- EP12886703
- Anmeldetag
- 18. Dezember 2012
- Veröffentlichung
- 24. April 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tsinghua University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Tsinghua University
Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.
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