Semiconductor Structure Having Beryllium Oxide

WO2014059733 Art A1 24. April 2014

Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014059733
Aktenzeichen: EP12886637
Anmeldetag: 18. Dezember 2012
Veröffentlichung: 24. April 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/20H01L29/06H01L29/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tsinghua University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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