Group-iii nitride semiconductor laser element, method for producing group-iii nitride semiconductor laser element, method for evaluating end surface for optical resonator of group-iii nitride semiconductor laser element, and method for evaluating scribe groove

WO2014061328 Art A1 24. April 2014

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014061328
Aktenzeichen: EP13846485
Anmeldetag: 24. Juli 2013
Veröffentlichung: 24. April 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01S5/343G01B11/26H01L21/301H01S5/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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