Photoelectric conversion device and method for manufacturing photoelectric conversion device

WO2014061561 Art A1 24. April 2014

Anmelder: Rohm Co., Ltd., National Institute Of Advanced Industrial Science 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014061561
Aktenzeichen: EP13847800
Anmeldetag: 10. Oktober 2013
Veröffentlichung: 24. April 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/10H01L27/146H01L31/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Rohm Co., Ltd.
National Institute Of Advanced Industrial Science
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

3.785 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von