Accumulation-Mode Mosfet
WO2014064737
Art A1
1. Mai 2014
Anmelder: Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014064737
- Aktenzeichen
- EP12886995
- Anmeldetag
- 25. Oktober 2012
- Veröffentlichung
- 1. Mai 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/66H01L21/336H01L29/78H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tohoku University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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Fachgebiete
Vertreten von
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