High Operating Temperature Resonant Tunnelling Quantum Well Photodetector

WO2014064930 Art A1 1. Mai 2014

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014064930
Aktenzeichen: EP13849106
Anmeldetag: 23. Oktober 2013
Veröffentlichung: 1. Mai 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.804 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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