Semiconductor device, method for producing same, schottky barrier diode, and field-effect transistor
WO2014065429
Art A1
1. Mai 2014
Anmelder: Furukawa Electric Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014065429
- Aktenzeichen
- EP13848570
- Anmeldetag
- 28. Oktober 2013
- Veröffentlichung
- 1. Mai 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/338H01L21/336H01L29/06H01L29/47H01L29/778H01L29/78H01L29/812H01L29/872
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Furukawa Electric Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Furukawa Electric
Furukawa Electric ist ein japanischer Hersteller von Glasfaserkabeln, elektronischen Bauteilen und Kupferprodukten für die Telekommunikations- und Automobilindustrie.
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