A power semiconductor device and manufacturing method thereof

WO2014067089 Art A1 8. Mai 2014

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences, Jiangsu Cas-IGBT Technology Co., Ltd, Jiangsu R&D Center For Internet Of Things 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014067089
Aktenzeichen: EP12887731
Anmeldetag: 31. Oktober 2012
Veröffentlichung: 8. Mai 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/43H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Jiangsu Cas-IGBT Technology Co., Ltd
Jiangsu R&D Center For Internet Of Things
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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