Semiconductor structure and manufacturing method thereof
WO2014067200
Art A1
8. Mai 2014
Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014067200
- Aktenzeichen
- EP12887457
- Anmeldetag
- 27. November 2012
- Veröffentlichung
- 8. Mai 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336H01L21/8234H01L29/78H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences
Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.
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