Method and apparatus for driving a power transistor gate

WO2014068352 Art A2 8. Mai 2014

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014068352
Aktenzeichen: EP12887603
Anmeldetag: 31. Oktober 2012
Veröffentlichung: 8. Mai 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H03K17/04H03K17/567

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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