Thin Film Transistor

WO2014068916 Art A1 8. Mai 2014

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014068916
Aktenzeichen: EP13851724
Anmeldetag: 24. Oktober 2013
Veröffentlichung: 8. Mai 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336G02F1/1368H01L21/28H01L29/41H01L29/417H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.804 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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